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            No.1!中芯國際“N+1”工藝芯片流片成功

            2020-10-12
             來源:張江高科895  2020-10-12

            1011日,中國領先的一站式IP和定制芯片領軍企業——芯動科技發布消息:公司已完成全球首個基于中芯國際FinFET N1”先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產,功能一次測試通過,這是過去數月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

            中芯國際目前是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路芯片制造企業,所謂“N1”工藝是中芯國際在第一代先進工藝14nm量產之后的第二代先進工藝的代號。

            根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士此前公布的信息顯示,“N1”工藝和現有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數據來看,與7nm工藝相近。

            梁孟松博士也表示,“N1”代工藝在功耗及穩定性上跟7nm工藝非常相似,但性能要低一些(業界標準是提升35%),所以中芯國際的“N1”工藝主要面向低功耗應用的。而在“N1”之后,中芯國際還會有“N2”。這兩種工藝在功耗上表現差不多,區別在于性能及成本,“N2”顯然是面向高性能的,成本也會增加。

            在此前公布的2020年上半年財報當中,中芯國際就曾表示,第二代先進工藝(“N1”)進展順利,已進入客戶產品驗證階段。

            隨后,在今年9月下旬,中芯國際再度對外回應稱,第二代FinFETN1”工藝已經進入客戶導入階段,有望于2020年底小批量試產。

            而芯動科技則是從2019年始,在中芯“N+1”工藝尚待成熟的情況下,團隊就全程攻堅克難,投入數千萬元設計優化,其基于中芯國際“N1”制程的首款芯片經過持續數月、連續多輪的測試迭代,成功助力中芯國際突破“N1”工藝良率瓶頸。如今,芯動科技基于國產“N+1”新工藝的里程碑NTO流片驗證成功,為國產半導體生態鏈再立新功。


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